Результаты исследований показали, что продукция ОАО «Ангстрем» не только не уступает аналогам мировых производителей, но по ряду параметров превосходит их. Так силовые транзисторы, разработанные и произведенные на «Ангстреме», имеют наименьшее время нарастания тока коллектора и, соответственно, более чем в полтора раза меньшую энергию динамических потерь по сравнению с зарубежными микросхемами. Помимо этого, результаты испытаний показали, что силовые транзисторы «Ангстрема» обладают практически не зависящей от температуры амплитудой остаточного тока и напряжения. Измеренные в лаборатории «МЭИ» динамические параметры диодов «Ангстрема» превосходят показатели иностранных аналогов в несколько раз, а полумостовая сборка продемонстрировала устойчивое переключение на индуктивную нагрузку во всех исследуемых режимах.

• http://sdelanounas.ru/blogs/30979/